IT 기술
국내 연구진, 원자 두께 반도체로 트랜지스터 구현… 초박막 소자 상용화 기대
국내 연구팀이 원자 수준의 초박막 반도체 단일 층에 트랜지스터를 집적하는 데 성공했다. 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 넘어설 수 있는 가능성을 열었다는 평가다.
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국내 연구팀이 원자 수준의 초박막 반도체 단일 층에 트랜지스터를 집적하는 데 성공했다. 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 넘어설 수 있는 가능성을 열었다는 평가다.
기초과학연구원(IBS)이 0.7나노미터(nm)급 차세대 반도체 소자 제작 기술을 개발해 국제 학술지 '사이언스'에 발표했다. 이 기술은 기존 반도체 공정의 한계를 넘어설 수 있는 가능성을 제시한다.
국내 연구진이 원자 하나를 바꿔 반도체의 전기적 성질을 제어하는 기술을 개발했다. 초미세·초저전력 소자 구현에 새로운 가능성을 열었다.